IPW60R299CP
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPW60R299CP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 96W Tc
输入电容 1.10 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 96 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 96W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.03 mm
宽度 5.16 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPW60R299CP引脚图与封装图
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在线购买IPW60R299CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPW60R299CP | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPW60R299CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPW60R299CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247 N-CH 600V 11A 1.1nF | 当前型号 | Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
| 型号： IPP60R299CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 11A | 类似代替 | INFINEON IPP60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V | IPW60R299CP和IPP60R299CP的区别 |
| 型号： STW16N65M5 品牌： 意法半导体 封装： TO-247-3 N-CH 650V 12A | 功能相似 | TO-247 N-CH 650V 12A | IPW60R299CP和STW16N65M5的区别 |