IPB039N10N3GE8187ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7Pin TO-263 T/R

N-Channel 100V 160A Tc 214W Tc Surface Mount PG-TO263-7

得捷:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

贸泽:
MOSFET MV POWER MOS

艾睿:
MV Power MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

IPB039N10N3GE8187ATMA1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 214W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 8410pF @50VVds

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPB039N10N3GE8187ATMA1引脚图与封装图

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