锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPB65R045C7ATMA1

IPB65R045C7ATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPB65R045C7ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R045C7ATMA1, 46 A, Vds=700 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 46A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
IPB60R380C6 系列 650 V 45 mOhm N沟道 CoolMOSTM C7 功率 晶体管-PG-TO263-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPB65R045C7ATMA1  Power MOSFET, N Channel, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V


IPB65R045C7ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 227 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 227 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 46A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4340pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 通信与网络, Industrial, 电源管理, Alternative Energy, 工业, Communications & Networking, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPB65R045C7ATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB65R045C7ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPB65R045C7ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB65R045C7ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存