IRLB4132PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLB4132PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-CH
耗散功率 140 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 92 ns
输入电容Ciss 5110pF @15VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRLB4132PBF引脚图与封装图
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| IRLB4132PBF | Infineon 英飞凌 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |