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IPA90R1K2C3

IPA90R1K2C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

900V,3.1A,N沟道功率MOSFET

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


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MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP


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IPA90R1K2C3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 20 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 710pF @100VVds

额定功率Max 31 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA90R1K2C3引脚图与封装图
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