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IPA60R330P6XKSA1

IPA60R330P6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.297 ohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 12A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP


欧时:
MOSFET CoolMOS P6 N-Ch 600V 12A TO-220FP


得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 7A TO220FP-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.297 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
N-沟道 600 V 7 A 330 mΩ 22 nC CoolMOS P6 功率 晶体管 - TO-220FP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP


IPA60R330P6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 32 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.297 Ω

极性 N-CH

耗散功率 32 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1010pF @100VVds

额定功率Max 32 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA60R330P6XKSA1引脚图与封装图
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