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IPB120N06S4H1ATMA1

IPB120N06S4H1ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 60V 120A

表面贴装型 N 通道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB120N06S4H1ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 120A

输入电容Ciss 21900pF @25VVds

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB120N06S4H1ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 60V 120A 搜索库存
替代型号IPB120N06S4H1ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB120N06S4H1ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 60V 120A

当前型号

D2PAK N-CH 60V 120A

当前型号

型号: IPB120N06S4H1ATMA2

品牌: 英飞凌

封装: TO-263-3 N-CH 60V 120A

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