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IPD90P04P4L04ATMA1

IPD90P04P4L04ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD90P04P4L04ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -40 V, 0.0036 ohm, -10 V, -1.7 V

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P04P4L04ATMA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
P沟道 40V 90A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 40 V, 90 A, 0.0036 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IPD90P04P4L04ATMA1  MOSFET Transistor, P Channel, -90 A, -40 V, 0.0036 ohm, -10 V, -1.7 V


Win Source:
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3


IPD90P04P4L04ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0036 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 11570pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 电源管理, Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors, 电机驱动与控制, Automotive, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD90P04P4L04ATMA1引脚图与封装图
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