锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP60R385CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 650V 9A Tc 83W Tc Through Hole PG-TO220-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
INFINEON  IPP60R385CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP60R385CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 9.00 A

额定功率 83 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

输入电容 790 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 790pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP60R385CPXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP60R385CPXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP60R385CPXKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP60R385CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存