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IPP062NE7N3GXKSA1

IPP062NE7N3GXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP062NE7N3GXKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


立创商城:
N沟道 75V 80A


得捷:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP062NE7N3GXKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET MV POWER MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3


IPP062NE7N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 136 W

极性 N-CH

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 2890pF @37.5VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP062NE7N3GXKSA1引脚图与封装图
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