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IPD60R520C6ATMA1

IPD60R520C6ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
CoolMOS™ C6 combines Infineon"s experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.


富昌:
600V, 22A, 0.52OMH, DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252


IPD60R520C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 66 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 8.1A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 512pF @100VVds

额定功率Max 66 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD60R520C6ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD60R520C6ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD60R520C6ATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD60R520C6ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD60R520C6ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 600V 8.1A

当前型号

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号: IPD60R520C6

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 600V 8.1A

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型号: IPD60R600C6BTMA1

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-Channel 600V 7.3A

类似代替

DPAK N-CH 600V 7.3A

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