锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPW65R280C6FKSA1

IPW65R280C6FKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247


IPW65R280C6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 104 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-CH

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 13.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 950pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPW65R280C6FKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPW65R280C6FKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPW65R280C6FKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6FKSA1, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装 搜索库存