锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP65R660CFDXKSA1

IPP65R660CFDXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 6A TO220-3 CoolMOS CFD2


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220


IPP65R660CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 62.5 W

通道数 1

漏源极电阻 594 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 62.5 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 615pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP65R660CFDXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP65R660CFDXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP65R660CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存