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IPD33CN10NGBUMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。

欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD33CN10NGBUMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 58W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 27A

输入电容Ciss 1570pF @50VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.223 mm

高度 2.413 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD33CN10NGBUMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD33CN10NGBUMA1 Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号IPD33CN10NGBUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPD33CN10NGBUMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： DPAK N-CH 100V 27A

当前型号

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号： IPD25CN10NGATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 100V 35A

类似代替

DPAK N-CH 100V 35A

IPD33CN10NGBUMA1和IPD25CN10NGATMA1的区别

型号： IPD33CN10NG

品牌： 英飞凌

封装： PG-TO252-3-11 N-Channel

功能相似

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IPD33CN10NGBUMA1和IPD33CN10NG的区别