IPA126N10N3GXKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPA126N10N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 33 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1880pF @50VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPA126N10N3GXKSA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPA126N10N3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3GXKSA1, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装 | 搜索库存 |