IRF6611TRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6611TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
通道数 1
漏源极电阻 2.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 89 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 32A
输入电容Ciss 4860pF @15VVds
额定功率Max 3.9 W
耗散功率Max 3.9W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-MX
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MX
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6611TRPBF引脚图与封装图
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