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IPB64N25S320ATMA1

IPB64N25S320ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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low RDS on in trench technology- down to 19.3 mOhm
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highest current capability 64A
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low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB64N25S320ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0175 Ω

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 64A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 9.25 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Piezo Injection, Hybrid inverter

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPB64N25S320ATMA1引脚图与封装图
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