IS43DR16320E-3DBL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 84-TWBGA（8x12.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA

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IS43DR16320E 3DBL

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动态随机存取存储器 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

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IS43DR16320E-3DBL中文资料参数规格

技术参数

供电电流 190 mA

时钟频率 333 MHz

位数 16

存取时间 450 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43DR16320E-3DBL引脚图与封装图

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