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IPB45P03P4L11ATMA1

IPB45P03P4L11ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB45P03P4L11ATMA1, 45 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3


立创商城:
P沟道 30V 45A


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB45P03P4L11ATMA1, 45 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB45P03P4L11ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 58 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 45A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 3770pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 58W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPB45P03P4L11ATMA1引脚图与封装图
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