IPD30N03S4L14ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD30N03S4L14ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0112 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, Power Management, OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Automotive, Body applications, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPD30N03S4L14ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD30N03S4L14ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPD30N03S4L14ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0112 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
替代型号IPD30N03S4L14ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD30N03S4L14ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 30V 30A | 当前型号 | INFINEON IPD30N03S4L14ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0112 ohm, 10 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： IPD135N03L G 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel | 类似代替 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPD30N03S4L14ATMA1和IPD135N03L G的区别 |
| 型号： IPD135N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 30V 30A | 类似代替 | INFINEON IPD135N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 V | IPD30N03S4L14ATMA1和IPD135N03LGATMA1的区别 |