锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPB45N06S4L08ATMA1

IPB45N06S4L08ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 60V 45A

表面贴装型 N 通道 60 V 45A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3


IPB45N06S4L08ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 45A

输入电容Ciss 4780pF @25VVds

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB45N06S4L08ATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPB45N06S4L08ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPB45N06S4L08ATMA1 Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 60V 45A 搜索库存