IPD50N04S4L08ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50N04S4L08ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-CH
耗散功率 46 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 46W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPD50N04S4L08ATMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N04S4L08ATMA1, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | 搜索库存 |