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IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 60V 120A

表面贴装型 N 通道 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3


艾睿:
This IPB120N06S403ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 167000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes optimos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB120N06S403ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 167 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 13150pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPB120N06S403ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB120N06S403ATMA1 Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 60V 120A 搜索库存
替代型号IPB120N06S403ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPB120N06S403ATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263-3 N-CH 60V 120A

当前型号

D2PAK N-CH 60V 120A

当前型号

型号： IPB120N06S403ATMA2

品牌： 英飞凌

封装： TO-263-3 N-CH 60V 120A

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