IPB80N06S405ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB80N06S405ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 107W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 6500pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IPB80N06S405ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB80N06S405ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB80N06S405ATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 60V 80A | 搜索库存 |
替代型号IPB80N06S405ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB80N06S405ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 60V 80A | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 80A | 当前型号 |
| 型号： IPB80N06S405ATMA2 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 60V 80A | 功能相似 | MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPB80N06S405ATMA1和IPB80N06S405ATMA2的区别 |