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IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.00135 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 40V on
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB120N04S401ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.00135 Ω

极性 N-CH

耗散功率 188 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 14000pF @25VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPB120N04S401ATMA1引脚图与封装图
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