IPD50N03S4L06ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.0049 Ω
极性 N-CH
耗散功率 56 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 1790pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3-11
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3-11
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control., Body applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N03S4L06ATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装 | 搜索库存 |