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IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD100N04S402ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™ T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPD100N04S402ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 7250pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3-313

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3-313

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, 电源管理, Body applications, 电机驱动与控制, Automotive, Motor Drive & Control, Power Management, OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching 3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control.

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD100N04S402ATMA1引脚图与封装图
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