IPB100N08S2L07ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 75V 100A

表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

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Infineon MOSFET IPB100N08S2L07ATMA1

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IPB100N08S2L07ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPB100N08S2L07ATMA1引脚图与封装图

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