IPB80N06S4L05ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB80N06S4L05ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 107 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 8180pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
IPB80N06S4L05ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPB80N06S4L05ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB80N06S4L05ATMA1 | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 60V 80A | 搜索库存 |
替代型号IPB80N06S4L05ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB80N06S4L05ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 60V 80A | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 80A | 当前型号 |
| 型号： IPB80N06S4L05ATMA2 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 60V 80A | 类似代替 | Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPB80N06S4L05ATMA1和IPB80N06S4L05ATMA2的区别 |