IXTQ30N60L2

IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ30N60L2 Power MOSFET, N Channel, 30A, 600V, 240mohm, 10V, 2.5V

通孔 N 通道 600 V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

贸泽:
MOSFET 30 Amps 600V

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3P

IXTQ30N60L2中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.24 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 540 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 10700pF @25VVds

下降时间 43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXTQ30N60L2引脚图与封装图

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