IXTK90N25L2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK90N25L2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 960 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 175 ns
输入电容Ciss 23000pF @25VVds
额定功率Max 960 W
下降时间 160 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXTK90N25L2引脚图与封装图
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在线购买IXTK90N25L2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK90N25L2 | IXYS Semiconductor | IXTK 系列 单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-264 | 搜索库存 |
替代型号IXTK90N25L2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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