额定电压DC 500 V
额定电流 16.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 2.25 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFA16N50P | IXYS Semiconductor | 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFA16N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263 N-Channel 500V 16A 400mΩ 2.25nF | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 V | 当前型号 | |
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型号: IXTA16N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 500V 16A 2.25nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3Pin2+Tab D2PAK | IXFA16N50P和IXTA16N50P的区别 | |
型号: IXFP16N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 N-Channel 500V 16A 400mΩ 2.25nF | 类似代替 | IXFP16N50P 系列 500 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET | IXFA16N50P和IXFP16N50P的区别 |