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IPD200N15N3 G

IPD200N15N3 G

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


立创商城:
N沟道 150V 50A


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin TO-252 T/R


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Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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**N-CH 150V 50A 20mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3


IPD200N15N3 G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1820pF @75VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD200N15N3 G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD200N15N3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD200N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存