IXGA30N60C3C1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGA30N60C3C1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 220 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 220 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 220000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, Power Management, Maintenance & Repair, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXGA30N60C3C1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGA30N60C3C1 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N60C3C1 IGBT Single Transistor, SIC, 60A, 3V, 220W, 600V, TO-263, 3Pins | 搜索库存 |