IXTK180N15P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTK180N15P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 800 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 180 A
上升时间 32 ns
反向恢复时间 150 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
额定功率Max 800 W
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
IXTK180N15P引脚图与封装图
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在线购买IXTK180N15P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK180N15P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTK180N15P 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXTK180N15P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTK180N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-Channel 180A | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTK180N15P 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 150 V, 10 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： IXTK200N10L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-CH 100V 200A | 类似代替 | IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264 | IXTK180N15P和IXTK200N10L2的区别 |
| 型号： IXTX200N10L2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 100V 200A | 功能相似 | ISOPLUS N-CH 100V 200A | IXTK180N15P和IXTX200N10L2的区别 |