IXFB110N60P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.89 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 18000pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1890W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Industrial, Power Management, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFB110N60P3 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFB110N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 110 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |