IPI12CN10N G

Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON IPI12CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 67A, 100V, 9.8mohm, 10V, 3V

通孔 N 通道 100 V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

IPI12CN10N G中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0098 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 4320pF @50VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPI12CN10N G引脚图与封装图

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