IXYH40N65C3H1

IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR IXYH40N65C3H1 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT PT 650V 80A 300W Through Hole TO-247 IXYH

得捷:
IGBT 650V 80A 300W TO247

e络盟:
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXYH40N65C3H1 IGBT Single Transistor, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3

IXYH40N65C3H1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 300 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 120 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXYH40N65C3H1引脚图与封装图

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IXYH40N65C3H1	IXYS Semiconductor	IXYS SEMICONDUCTOR IXYH40N65C3H1 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 引脚	搜索库存

替代型号IXYH40N65C3H1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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