
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2500pF @100VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 5 ns
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB60R125CP | Infineon 英飞凌 | 600V,25A,N沟道MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPB60R125CP 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263 N-Channel 600V 25A | 当前型号 | 600V,25A,N沟道MOSFET | 当前型号 | |
型号: SIHB30N60E-GE3 品牌: 威世 封装: TO-252-3 N-Channel 600V 29A 125mΩ | 功能相似 | N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | IPB60R125CP和SIHB30N60E-GE3的区别 |