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IPB60R125CP

IPB60R125CP

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
IPB60R125CP中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2500pF @100VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 5 ns

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB60R125CP引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB60R125CP Infineon 英飞凌 600V,25A,N沟道MOSFET 搜索库存
替代型号IPB60R125CP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB60R125CP

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263 N-Channel 600V 25A

当前型号

600V,25A,N沟道MOSFET

当前型号

型号: SIHB30N60E-GE3

品牌: 威世

封装: TO-252-3 N-Channel 600V 29A 125mΩ

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IPB60R125CP和SIHB30N60E-GE3的区别