锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IKB15N60T
Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT的沟槽场终止和技术,柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

Summary of Features:

.
Lowest V cesat drop for lower conduction losses
.
Low switching losses
.
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V cesat
.
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
.
High ruggedness, temperature stable behavior
.
Low EMI emissions
.
Low gate charge
.
Very tight parameter distribution

Benefits:

.
Highest efficiency – low conduction and switching losses
.
Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
.
High device reliability
IKB15N60T中文资料参数规格
技术参数

额定功率 130 W

耗散功率 130 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 34 ns

额定功率Max 130 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Other hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IKB15N60T引脚图与封装图
IKB15N60T引脚图

IKB15N60T引脚图

IKB15N60T封装焊盘图

IKB15N60T封装焊盘图

在线购买IKB15N60T
型号 制造商 描述 购买
IKB15N60T Infineon 英飞凌 IGBT的沟槽场终止和技术,柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode 搜索库存