IPI08CN10N G

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3Pin3+Tab TO-262

通孔 N 通道 100 V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3-Pin3+Tab TO-262

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3 / N-Channel 100 V 95A Tc 167W Tc Through Hole PG-TO262-3

IPI08CN10N G中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0064 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 6660pF @50VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPI08CN10N G引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPI08CN10N G

型号	制造商	描述	购买
IPI08CN10N G	Infineon 英飞凌	Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3Pin3+Tab TO-262	搜索库存