IPI057N08N3 G

Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON IPI057N08N3 G MOSFET Transistor, N Channel, 80A, 80V, 4.9mohm, 10V, 2.8V

通孔 N 通道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Win Source:
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

IPI057N08N3 G中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 80 V

输入电容Ciss 4750pF @40VVds

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPI057N08N3 G引脚图与封装图

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