IPI60R299CP
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPI60R299CP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
漏源极电阻 0.299 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.10 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 96 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 96 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPI60R299CP引脚图与封装图
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在线购买IPI60R299CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI60R299CP | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPI60R299CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI60R299CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-Channel 650V 11A 1.1nF | 当前型号 | Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
| 型号： IPI60R280C6 品牌： 英飞凌 封装： I2PAK-3 N-Channel 600V 13.8A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPI60R299CP和IPI60R280C6的区别 |