IPD068N10N3 G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPD068N10N3 G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 4910pF @50VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Uninterruptable power supplies UPS, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPD068N10N3 G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD068N10N3 G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3Pin2+Tab DPAK | 搜索库存 |