IPI60R520CP
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPI60R520CP中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.52 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 6.80 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 630pF @100VVds
额定功率Max 66 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPI60R520CP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPI60R520CP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI60R520CP | Infineon 英飞凌 | 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPI60R520CP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI60R520CP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262-3 N-Channel 600V 6.8A | 当前型号 | 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPI65R600C6 品牌： 英飞凌 封装： I2PAK-3 N-CH 700V 7.3A | 类似代替 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPI60R520CP和IPI65R600C6的区别 |
| 型号： IPI65R600C6XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 700V 7.3A | 类似代替 | Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | IPI60R520CP和IPI65R600C6XKSA1的区别 |
| 型号： IPI60R600CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-Channel 600V 6.1A | 类似代替 | CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor | IPI60R520CP和IPI60R600CP的区别 |