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IPU060N03L G

IPU060N03L G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin3+Tab TO-251

N-Channel 30V 50A Tc 56W Tc Through Hole PG-TO251-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A IPAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin3+Tab TO-251


IPU060N03L G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 56 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 2400pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 56W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPU060N03L G引脚图与封装图
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IPU060N03L G Infineon 英飞凌 Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin3+Tab TO-251 搜索库存