IXFN24N100F
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXFN24N100F中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 390 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1000 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFN24N100F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFN24N100F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN24N100F | IXYS Semiconductor | IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN24N100F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFN24N100F 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT N-Channel 600W（Tc） | 当前型号 | IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B | 当前型号 |
| 型号： IXFK26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 1kV 20A 3Pin3+Tab TO-264 | IXFN24N100F和IXFK26N100P的区别 |
| 型号： IXFX26N100P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 20A | 功能相似 | PLUS N-CH 1000V 20A | IXFN24N100F和IXFX26N100P的区别 |