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IS43R16320D-6TLI

IS43R16320D-6TLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


TME:
Memory; SDRAM; 32Mx16bit; 166MHz; 6ns; TSOP66 II; -40÷85°C; 2.5VDC


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


IS43R16320D-6TLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 370 mA

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R16320D-6TLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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