
额定电压DC 500 V
额定电流 26.0 A
漏源极电阻 230 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 400 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 3.60 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
反向恢复时间 200 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PLUS-220
封装 PLUS-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFV26N50PS | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFV26N50PS 品牌: IXYS Semiconductor 封装: PLUS220 N-Channel 500V 26A 230mΩ 3.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 当前型号 | |
型号: IXTV26N50PS 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 500V 26A 3.6nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | IXFV26N50PS和IXTV26N50PS的区别 | |
型号: IXTT26N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFV26N50PS和IXTT26N50P的区别 | |
型号: IXFH26N55Q 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXFV26N50PS和IXFH26N55Q的区别 |