IXFT36N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT36N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 36.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 650 W
阈值电压 5 V
输入电容 5.80 nF
栅电荷 102 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
反向恢复时间 200 ns
输入电容Ciss 5800pF @25VVds
额定功率Max 650 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFT36N60P引脚图与封装图
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在线购买IXFT36N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT36N60P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 36A, 600V, 190mohm, 10V, 5V | 搜索库存 |
替代型号IXFT36N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT36N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 600V 36A 190mΩ 5.8nF | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 36A, 600V, 190mohm, 10V, 5V | 当前型号 |
| 型号： IXFH36N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 36A 190mΩ 5.8nF | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH36N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V | IXFT36N60P和IXFH36N60P的区别 |
| 型号： IXFK36N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 600V 36A 190mΩ 5.8nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3Pin3+Tab TO-264AA | IXFT36N60P和IXFK36N60P的区别 |